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He pedido placas para hacer memorias 128MB para MiSTer
Por pacoarcade el 10 de Febrero de 2020

Hace unos días encargué los componentes necesarios para montar memorias de 128MB para MiSTer. Este tamaño de memoria es necesario para poder usar todos los juegos del núcleo Neo-Geo debido a que esta máquina utiliza memorias ROM de gran tamaño.

Cabe destacar que la página de la placa SDRAM está desactualizada, mostrando la versión actual 2.4 en lugar de la 2.5, por lo que recomiendo mirar en el directorio de hardware en Github. Las placas 2.4 y 2.5 son prácticamente iguales y la única mejora es la facilidad de su soldadura.

Estos son los materiales necesarios según el Wiki, al que he añadido el conector el cual no está disponible actualmente en Aliexpress y para el que no conozco ninguna alternativa:

  • 1 Conector hembra de 20 posiciones, paso 2.54mm, dos filas y ángulo recto
  • 4 condensadores cerámicos 0805 X7R de 10µF
  • 4 condensadores cerámicos 0805 X7R de 1µF
  • 4 condensadores cerámicos 0805 X7R de 100nF
  • 2 memorias Alliance AS4C32M16SB-7TIN
  • 1 inversor Texas Instruments SN74LVC1G04DBVR

Para los condensadores cerámicos de 10µF he usado la alternativa más económica y de similares características Murata GRM21BR71A106KA73K. Las placas las he encargado en JLCPCB y al ser la primera vez que encargo una placa de 4 capas y no haber encontrado ninguna referencia en el wiki oficial no he activado la opción de control de impedancia. Los componentes se pueden pedir en tiendas como Mouser o Digikey.

Una vez han llegado las placas y los componentes confirmo que, una vez ensambladas, funcionan de forma estable durante más de una hora a 140MHz.

¿AS4C32M16SB-6TIN o AS4C32M16SB-7TIN?

El módulo de memoria recomendado es el AS4C32M16SB-6TIN que soporta 166MHz frente al AS4C32M16SB-7TIN que sólo llega a 143MHz; cabe mencionar que en la página de Mouser hay un error y lista los chips AS4C32M16SB-6TIN como 133MHz, por lo que para estar seguro hay que comprobar la hoja de datos.

Según leo en los foros, parece ser que incluso hay diferencias en la velocidad soportada de una DE10-Nano a otra, de forma que un módulo de RAM puede funcionar de forma estable a 150MHz en unas DE10-Nano y no en otras.

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